作为新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等尖端技术领域的核心材料，化合物半导体正展现出前所未有的应用潜力。随着SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代半导体材料的广泛应用，对晶圆和化合物半导体的热处理技术也提出了更高的挑战。
传统的炉管退火工艺，虽然能够通过长时间的高温处理来消除离子注入损伤、释放应力，但其固有的局限性也逐渐凸显。缺陷消除的不彻底、退火时间过长导致的杂质再分布问题，以及温场控制的复杂性，都成为了制约其进一步发展的瓶颈。
为了应对这些挑战，需要一种能够实现精确温控和更高退火效率的新型退火方案。
· RTP快速退火炉原理
RTP快速退火炉的核心原理在于，通过精确控制加热和冷却过程中的温度和时间，实现对材料性质或结构的精准调整和优化处理。
在半导体器件制造中，RTP快速退火炉能够快速、均匀地加热和冷却晶圆，有效消除离子注入损伤、释放应力，同时保持材料的微观结构稳定。
· RTP快速退火炉的优点
在半导体器件制造中，RTP快速退火炉能够快速、均匀地加热和冷却晶圆，有效消除离子注入损伤、释放应力，同时保持材料的微观结构稳定。这种高效且精准的处理方式，不仅提高了半导体器件的性能和可靠性，还缩短了生产周期，降低了生产成本。
随着半导体市场的迅猛发展和技术进步，对热处理技术的要求也日益提高，为满足市场高速发展需求，博视广达积极探索快速热退火应用方案，凭借多年技术优势及丰富经验，自主研发推出RTP-3-06 、RTP-3-08 等自立式快速退火炉。
博视广达快速退火炉
此序列快速退火炉分别能够高效处理1-8时样本，为IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产提供强有力的技术支持。
· 博视广达RTP快速退火炉技术优势
采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现实验样品的快速升温和降温，完成特定条件下的热处理工艺。
支持多种配置选择，如可选择 SECS/GEM、1-4路气氛、自动开关门、灯光分区控制、PID 自动配置等；可实现炉壁温度监视、水冷异常监视、真空度监视、腔体压力监视等；有丰富的附件选择： 碳化硅石墨托盘、石英样品托 架、红外加热灯管、石英腔体/板、TC-Wafer 校准仪等。
应用功能：快速热处理(RTP、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)
✅ 离子注入/接触退火
✅ SiAu、SiAl、SiMo合金化
✅ 太阳能电池片键合
✅ 电阻烧结
✅ 低阶电材料热处理
✅ 晶体化、致密化
✅ 材料制备
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博视广达科技立足于数据智能分析和制造，专注于光、声、电性能检测设备，拥有自主研发和核心知识产权的产品体系，包括快速退火炉、超声扫描显微镜、液晶缺陷检测设备、精密器件外观检测设备、手机手表手环测试设备、二手手机质量评估系统等序列产品。
如果您有测试和热处理工艺需求，欢迎探讨和咨询！
