SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂（核心为离子注入）、蚀刻、成膜、减薄”等工艺。离子注入作为掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。但此过程会损伤碳化硅晶格，故需退火工艺修复，以保障器件性能与可靠性。

在SiC材料晶体生长过程中，退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移，使结晶内部重新排列，促进杂质的合理分布，有利于提高晶体生长的质量和尺寸，提高SiC材料的晶体品质和整体性能。

随着芯片制造技术的不断进步，对退火工艺的工艺标准要求也越来越高，RTP快速退火炉的竞争优势凸显：对比传统的炉管退火工艺，RTP快速退火炉具有独特的水平均温处理技术，在退火过程中，不仅能在极短的时间内实现升温和冷却，提升晶圆退火的效率和效果，还能同时保证晶圆表面的温度分布均匀稳定，总体热预算较低，可以更好地提高晶圆的性能，满足先进半导体的制造需求。

博视广达RTP快速退火炉

博视广达自立式快速退火炉系列产品主要分为RTP-3-06 、RTP-3-08 等，分别能处理1-8时样本。

设备采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现对实验材料的快速升温和降温，完成特定条件下的热处理工艺。同时搭配超高精度的温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理、快速退火、快速热氧化、快速热氮化及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。

设备支持多种配置选择，如可选择 SECS/GEM、1-4路气氛、自动开关门、灯光分区控制、PID 自动配置等；可实现炉壁温度监视、水冷异常监视、真空度监视、腔体压力监视等；有丰富的附件选择： 碳化硅石墨托盘、石英样品托架、红外加热灯管、石英腔体/板、TC-Wafer 校准仪等。

博视广达RTP快速退火炉耗材配件

● 红外加热灯管

快速退火炉系列配件，使用卤素循环设计，响应时间短。可以配合复杂的加热编程，达到精准可控的红外能量输出，满足半导体工业对精确温度与加热区域的严格要求。

✅ 高效热源

超过85%的输入能量被转换成红外能量。

✅ 易于控制

基于光源的能源更容易通过使用透镜和反射器进行控制和操纵。

✅ 即时开/关

启动即可达到最大输出，因此可以应用复杂的加热编程。

✅ 寿命长，输出一致

通过使用卤素循环，设计寿命为5000小时，几乎不损失红外输出。

✅ 灵活的生产能力

支持客户指定的定制设计，能快速反应客户售后需求。

● 碳化硅石墨托盘

快速退火炉系列配件，采用进口等静压石墨精密制造，可有效提高设备的温度均匀性（以博视广达 RTP-3-08 为例，温度均匀性可以从1.5%提升到1.0%）。碳化硅石墨托盘有6时、8时多种标准尺寸可供选择，可分别适用于博视广达RTP-3-06/RTP-3-08系列产品。

产品特点：

✅ 耐高温

✅ 导热导电性好

✅ 化学性能稳定

✅ 高硬度

· 除标准尺寸外，还可定制用于异形样品的石墨托盘及配套石英托架；

· 除适用于博视广达设备外，还可深度定制适用于友商RTP设备的石墨托盘及配套石英托架。

● 石英样品托架

快速退火炉系列配件，采用高纯度石英砂（99.95%）精密制造，高温环境下仍可保持稳定的化学性质。用于承载石墨托盘，也可以直接承载晶圆。

产品特点

✅ 良好的光学透过率，使其广泛应用于红外加热设备；

✅ 除标准尺寸外，还可定制用于异形样品的石英托盘；

✅ 除适用于博视广达设备外，还可深度定制适用于友商RTP 设备的石英托架/盘。

● TC-Wafer校准仪

快速退火炉RTP通用配件，由两部分组成：晶圆传感器及数据采集分析系统。

应用场景：

✅ 半导体制造工艺调校

✅ RTP设备的测试、验证

✅ TC-Wafer的测试、验证

✅ 其它晶圆热处理设备的测试、验证

对热处理过程的精确掌控有助于提高样品良率，将热电偶镶嵌于晶圆表面，可获得晶圆表面特定位置的实时温度以监控晶圆的温度分布，进而监控热处理过程中晶圆的升温、降温、延迟周期等变化曲线数据。

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博视广达科技立足于数据智能分析和制造，专注于光、声、电性能检测设备，拥有自主研发和核心知识产权的产品体系，包括快速退火炉、超声扫描显微镜、手机手表平板流水线/多工位MMI测试设备、精密器件外观检测设备等序列产品。

如果您有检测和热处理工艺需求，欢迎探讨和咨询！